RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2989
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Kingston 9905471-073.A00LF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link