RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
77
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
77
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
1440
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link