RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2374
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link