RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2193
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link