RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3657
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link