RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3657
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link