RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3657
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link