RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3657
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link