RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2989
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link