RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link