RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2280
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link