RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3308
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link