RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
71
Около -238% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3567
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link