RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3384
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link