RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3678
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link