RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2499
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link