RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
71
Около -255% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3703
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link