RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3987
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link