RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
71
Около -238% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4119
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link