RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3704
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link