RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3431
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Jinyu 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link