RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston 9905701-011.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3205
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link