RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3119
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link