RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2438
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link