RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3235
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link