RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
71
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3391
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link