RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Maxsun MSD44G24Q3 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
71
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2214
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link