RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
71
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
49
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
10.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2504
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link