RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2422
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link