RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
71
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2489
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link