RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
101
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
101
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link