RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2532
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link