RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2969
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link