RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    71 left arrow 72
    Около -1% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    6.5 left arrow 1,323.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    72 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,616.5 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,323.5 left arrow 6.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    329 left arrow 1616

Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB Сравнения RAM

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
модули RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
модули RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
модули RAM