RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB против Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2732
2404
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link