RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
60
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
60
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2554
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link