RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3659
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link