RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
21.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3755
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link