RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3126
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link