RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3336
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link