RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2256
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link