RAM-Vergleich Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Gesamtnote

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 12.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 49

Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.3 2,066.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

737 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns