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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
4,577.1
12.7
写入速度,GB/s
2,066.5
6.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2256
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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