RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2416
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link