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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
13.7
14.0
写入速度,GB/s
9.6
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2416
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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