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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
27
读取速度,GB/s
4,178.4
17.3
写入速度,GB/s
2,201.1
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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