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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
16.6
写入速度,GB/s
7.3
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3477
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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