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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.5
15.5
写入速度,GB/s
8.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3131
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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