RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4114
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link