RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3773
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link